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3D传感VCSEL下一个十字路口:加快替代or产能过剩

2020-09-25

3D传感VCSEL下一个十字路口:加快替代or产能过剩

以下文章来源于天天IC ,作者集微网编辑部

目前市面上主流的3种3D感知技术分别为双目立体成像、结构光以及ToF,而不论是结构光方案还是TOF方案,都离不开核心器件VCSEL。


2017年,iPhone X将结构光引入到前置光学系统中,用于Face ID人脸识别,随之引发了3D感知技术市场的热潮。而伴随着5G技术变革下智能手机的更新换代需求,全球3D感知市场规模逐年扩大。

据TrendForce数据,2020年3D传感VCSEL(适用于智能手机和平板电脑等移动设备)市场规模预测为12.07亿美元,较2019年的10.79亿美元同比增长12%。


分析师指出,目前3D传感已成为手机品牌厂商旗舰机在规格竞赛中的重要指标。3D传感功能主要集成在后置摄像头中,主要应用包括测距、背景虚化、3D物体检测、空间建模和增强现实(AR)。在不久的将来,3D传感功能进一步搭配5G,成为高端手机的标配。预计2021年3D传感VCSEL的市场规模将同比增长53%,达18.42亿美元。


目前市面上主流的3种3D感知技术分别为双目立体成像、结构光以及ToF,而不论是结构光方案还是TOF方案,都离不开核心器件VCSEL。


在此背景下,VCSEL成为市场新增量。早在1977 年,日本东京工业大学的伊贺健一提出 VCSEL 的概念,直到2017年,iPhone X 彻底让VCSEL火起来。


当前,VCSEL在消费电子3D成像、物联网、数据中心/云计算以及自动驾驶等领域应用颇多。


VCSEL被市场所青睐,原因之一就在于VCSEL可以提供高频调制、更快的响应速度、高质量光束,同时功耗低、工艺兼容性好。


VCSEL是红外激光LD的一种,全名为垂直共振腔表面放射激光,顾名思义,他是可以垂直发射模式,与其他红外LD的边发射模式不同,VCSEL的垂直结构更加适合进行晶圆级制造和封测,规模量产之后的成本相比边发射LD有优势,可靠性高,相比于LED,VSCEL的光谱质量高,响应速度快,优势明显。


此前,VCSEL由于其制造工艺不成熟,产品的成本相对较高,随着各大厂商的重视,尤其是高速光通信的快速发展,VCSEL工艺逐步成熟。


纵慧芯光联合创始人、首席产品官Ryan曾表示,3D传感器国内市场需求巨大,产业链逐步成熟,VCSEL国产芯片的量产需求迫切。

在具体的VCSEL产业链方面,VCSEL目前主要采用三五族化合物半导体材料GaAs制成,由IQE、全新、联亚光电等公司提供三五族化合物EPI外延硅片,然后由宏捷科技、稳懋、晶电等公司进行晶圆制造,再经过联钧、矽品等公司的封测,变成为独立的VCSEL器件。然后由设计公司提供给综合解决方案商,再提供给下游消费电子厂商。


在科研领域,我国中科院长春光机所在VCSEL科研领域处于世界前沿地位,2014年5月长春光机所在所内首次研制出碱金属院子光学传感技术专用的795nm和894nm VCSEL。该器件采用完全自主的结构设计、材料生长和芯片工艺研制而成,芯片体积仅为0.05立方毫米,器件高稳定单模态激光输出高于0.2毫瓦,工作电流低于1.5毫安,功耗低于3毫瓦,可作为核心光源用于芯片级原子钟、原子磁力计、原子陀螺仪等碱金属原子传感器。


中国科学院半导体研究所张杨研究员团队于2017年10月和11月先后研制出用于高速数据存储的6英寸高速850nm VCSEL外延片,和用于3D传感、激光雷达的6英寸940nm VCSEL激光器外延片,并出口台湾相关芯片厂。


除科研院所以外,国内企业也纷纷布局,纵慧芯光、长光华芯、睿熙科技等,都是其中具有代表性的企业。


伴随着市场热潮与相关政策推动,国内企业逐渐开始进军VCSEL领域,然而,目前进入VCSEL的初创公司依旧存在同质化竞争严重等问题。


由于一开始主打市场为940nm VCSEL阵列器件,但短期940nm VCSEL阵列器件主要应用的手机市场尚未爆发,因此销售额并不大。


国内940nm VCSEL外延工艺还需要突破重重难关。而消费电子、光通信市场VCSEL需求量表现不及预期,国内VCSEL市场面临产能过剩风险。


此外,国内VCSEL厂商同时面临来自传统LED厂商切入赛道的竞争压力。


面对这种竞争局面,一方面能加快国产替代的步伐,但另一方面,部分企业也会因为时间和市场而被逐渐淘汰,最终留下有实力的玩家。


面对未来的竞争压力,全产业链整合也将是VCSEL产业下一个趋势之一,在产业崛起同时,整合产业链经验、量产经验丰富的厂商,以满足市场需求,也将成为国内VCSEL厂商未来的议题。


 

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