国家存储器基地二期开工
2020-06-23
6月20日上午，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设！
在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。
在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。就在三天前的6月17日下午，湖北省委书记应勇和湖北省委副书记、省长王晓东与紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国座谈交流时表示，国家存储器基地项目是湖北、武汉的重大战略项目，技术领先、前景广阔，希望紫光集团立足武汉、深耕湖北，在保持技术研发领先优势的同时，加强市场开拓，扩大产能规模，推动项目一期尽早达产和项目二期加快建设。长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。长江存储一贯重视核心技术的自主研发和创新，Xtacking技术的研发成功和64层3DNAND闪存的批量生产、128层三维闪存芯片的研发成功，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。2018-2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进，在市场份额高度集中的存储芯片市场，国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。财信证券认为，可以从三个层面来理解对国产半导体设备厂商的拉动作用：1、长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中，尚存在较大的产能空间，在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩；2、对党政和行业信创市场的补充作用：国内IT产业链国产化进程积极推进，CPU、GPU、OS等核心环节进展领先存储芯片一个身位，随着内存和闪存芯片的规模化量产，党政信创市场的替换将进入快车道，长江存储闪存芯片技术迭代和产能释放也将为战略合作伙伴的成长提供充足的动力；
3、对半导体产业技术跃进的带动作用：从我国半导体产业的角度和市场竞争的角度看，国产半导体加快技术升级和产品迭代是争取市场份额的必要路径，从产业趋势上看，半导体产业的技术跃进已经出现了点点星火，长期看好我国半导体国产化进程。
来源：芯榜
